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【48812】旭光电子:氮化铝资料可满意新式高功能存储芯片HBM的散热要求

时间:2024-08-03 22:13 来源:真空泵—乐鱼体育官网登录入口下载 点击:1次

  金融界3月11日音讯,有投入资金的人在互动渠道向旭光电子发问:请问贵公司电子陶瓷产品(氧化铝、氮化铝、氮化硅等)是不是可以应用于HBM?

  公司答复表明:我司立足于氮化铝资料的全产业链开展,现在产品已掩盖氮化铝粉体、封装基板、HTCC高温共烧陶瓷和高端功用器材等范畴。氮化铝是一种归纳功能优秀的先进陶瓷资料,因具有高热导率(热导率是现在氧化铝陶瓷资料的7-10倍)、热线胀系数与 Si 匹配度高、高强度、高体积电阻率、高绝缘耐压、化学稳定性等特性,是国内外公认的第三代半导体要害资料和电子器材的先进封装资料。HBM作为新式高功能存储芯片,会发生比传统 DDR 显存更高的热量,这在某种程度上预示着需求更好的热量办理体系,氮化铝资料具有优异的导热功能,可满意大功率电子器材散热要求。